Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Nitrogen-Hydrogen Defects in GaP
School of Physics, University of Exeter.
School of Physics, University of Exeter.
School of Physics, University of Exeter.
Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Matematiska vetenskaper.ORCID-id: 0000-0003-0509-925X
Visa övriga samt affilieringar
1998 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 210, nr 2, s. 321-326Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Models of the nitrogen-hydrogen defect in GaP, which contain one and two H atoms, are investigated using ab initio density functional cluster theory. We find that a single H atom binding to N possesses two infrared absorption frequencies close to those attributed to an NH2 defect. The modes shift with its charge state consistent with the photo-sensitivity found for the defect. A third mode observed for this centre is assumed to be an overtone of the bend mode. The isotope shifts of the calculated modes are in excellent agreement with experiment in contrast with the model which contains two H atoms

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1998. Vol. 210, nr 2, s. 321-326
Nyckelord [en]
density functional theory, doping, infrared spectroscopy, semiconductors, III-V, phosphides, GaP, Natural sciences - Physics, Materials science - Functional materials
Nyckelord [sv]
Naturvetenskap - Fysik, Teknisk materialvetenskap - Funktionella material
Nationell ämneskategori
Beräkningsmatematik
Forskningsämne
Teknisk-vetenskapliga beräkningar
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:ltu:diva-27161DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199812)210:23.0.CO;2-GLokalt ID: 07fb1570-1eab-11de-81ae-000ea68e967bOAI: oai:DiVA.org:ltu-27161DiVA, id: diva2:1000342
Konferens
International Conference on Shallow-Level Centres in Semiconductors : 27/07/1998 - 30/07/1998
Anmärkning
Godkänd; 1998; 20090401 (andbra); Konferensartikel i tidskriftTillgänglig från: 2016-09-30 Skapad: 2016-09-30 Senast uppdaterad: 2017-11-30Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Latham, Chris D.Öberg, Sven

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Latham, Chris D.Öberg, Sven
Av organisationen
Matematiska vetenskaper
I samma tidskrift
Physica status solidi. B, Basic research
Beräkningsmatematik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 14 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf