Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Theory of a carbon-oxygen-hydrogen recombination center in n-type Si
Department of Physics and I3N, University of Aveiro, Campus Santiago.
Department of Physics and I3N, University of Aveiro, Campus Santiago.
Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Materialvetenskap.ORCID-id: 0000-0002-0292-1159
Department of Physics and I3N, University of Aveiro, Campus Santiago.
Visa övriga samt affilieringar
2017 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 214, nr 7, artikel-id 1700309Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have recently found that in-diffusion of hydrogen into n-type Si crystals containing oxygen and carbon impurities can result in the formation of powerful recombination centers (M. Vaqueiro-Contreras et al., to appear in PSS RRL). Here, we describe a combination of first-principles calculations and electrical measurements to investigate the composition, structure, electrical activity and recombination mechanism of a carbon-oxygen-hydrogen complex (COH) in Si. We found a defect comprising a carbon-oxygen complex connected to an H atom whose location depends on the charge state of the complex, and showing a calculated acceptor level at Ev+0.3eV, a few meV away from the observations. Bistable carbon-oxygen-hydrogen complex in silicon. Carbon, oxygen, hydrogen, and silicon atoms are shown in gray, red, black, and white, respectively

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
John Wiley & Sons, 2017. Vol. 214, nr 7, artikel-id 1700309
Nationell ämneskategori
Annan fysik
Forskningsämne
Tillämpad fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:ltu:diva-64823DOI: 10.1002/pssa.201700309ISI: 000404974800029Scopus ID: 2-s2.0-85020527524OAI: oai:DiVA.org:ltu-64823DiVA, id: diva2:1120736
Konferens
17th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST), Lopota, Georgia, Oct 01-06, 2017
Anmärkning

2017-08-16 (andbra);Konferensartikel i tidskrift

Tillgänglig från: 2017-07-07 Skapad: 2017-07-07 Senast uppdaterad: 2018-07-10Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Öberg, Sven

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Öberg, Sven
Av organisationen
Materialvetenskap
I samma tidskrift
Physica status solidi. A, Applied research
Annan fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 75 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf