Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electronic properties, doping, and defects in chlorinated silicon nanocrystals
Department of Physics, I3N, University of Aveiro, Campus Santiago.
Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Matematiska vetenskaper.ORCID-id: 0000-0002-0292-1159
Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Matematiska vetenskaper.
Electrical, Electronic and Computer Engineering, University of Newcastle upon Tyne.
2012 (Engelska)Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 86, nr 4Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Silicon nanocrystals with diameters between 1 and 3 nm and surfaces passivated by chlorine or a mixture of chlorine and hydrogen were modeled using density functional theory, and their properties compared with those of fully hydrogenated nanocrystals. It is found that fully and partially chlorinated nanocrystals are stable, and have higher electron affinity, higher ionization energy, and lower optical absorption energy threshold. As the hydrogenated silicon nanocrystals, chlorinated silicon nanocrystals doped with phosphorus or boron require a high activation energy to transfer an electron or hole, respectively, to undoped silicon nanocrystals. The electronic levels of surface dangling bonds are similar for both types of surface passivation, although in the chlorinated silicon nanocrystals some fall outside the narrower energy gap.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2012. Vol. 86, nr 4
Nationell ämneskategori
Beräkningsmatematik
Forskningsämne
Teknisk-vetenskapliga beräkningar
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:ltu:diva-7589DOI: 10.1103/PhysRevB.86.045308ISI: 000306190300013Scopus ID: 2-s2.0-84863767661Lokalt ID: 5f931fda-e956-4b66-9938-798200c28b3fOAI: oai:DiVA.org:ltu-7589DiVA, id: diva2:980479
Anmärkning
Validerad; 2012; Bibliografisk uppgift: Article Number: 045308 ; 20120807 (andbra)Tillgänglig från: 2016-09-29 Skapad: 2016-09-29 Senast uppdaterad: 2018-07-10Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Öberg, SvenRayson, Mark

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Öberg, SvenRayson, Mark
Av organisationen
Matematiska vetenskaper
I samma tidskrift
Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics
Beräkningsmatematik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 13 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf