Endre søk
Begrens søket
1 - 2 of 2
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Camps, I.
    et al.
    Universidade Federal de Alfenas—Unifal-MG.
    Coutinho, J.
    University of Aveiro.
    Mir, M.
    Universidade Federal de Alfenas—Unifal-MG.
    Rayson, Mark
    Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Matematiska vetenskaper.
    Briddon, Patrick
    Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Matematiska vetenskaper.
    Elastic and optical properties of Cu2ZnSn(SexS1 − x)4 alloys: density functional calculations2012Inngår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, E-ISSN 1361-6641, Vol. 27, nr 11Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Cu2ZnSn(S1 − xSex)4 (CZT(S, Se)) is emerging as a very credible alternative to CuIn1 − xGaxSe2 (CIGS) as the absorber layer for thin film solar cells. The former compound has the important advantage of using abundant Zn and Sn instead of the expensive In and Ga. A better understanding of the properties of CZT(S, Se) is being sought through experimental and theoretical means. Thus far, however, very little is known about the fundamental properties of the CZT(S, Se) alloys. In this work, theoretical studies on the structural, elastic, electronic and optical properties of CZT(S, Se) alloys through first-principles calculations are reported. We use a density functional code (aimpro), along with the Padé parametrization for the local density approximation to the exchange correlation potential. For the alloying calculations we employed 64 atom supercells (approximately cubic) with a 2 × 2 × 2 k-point sampling set. These supercells possess a total of 32 chalcogen species and the CZTSexS1 − x alloys are described by using the ordered alloy approximation. Accordingly, to create a perfectly diluted alloying host, the species type of the 32 chalcogen sites is selected randomly with uniform probability x and 1 − x for Se and S, respectively. Properties of alloys (structural, elastic, electronic and optical) are obtained by averaging the results of ten supercell configurations generated for each composition. For each configuration, lattice vectors and atomic positions were allowed to relax (although enforcing the tetragonal lattice type) and the Murnaghan equation of state was fitted to the total energy data. The results presented here permit a better understanding of the properties of the CZT(S, Se) alloys which in turn result in the design of more efficient solar cells.

  • 2.
    Ewels, C.P.
    et al.
    University of Exeter.
    Öberg, Sven
    Luleå tekniska universitet, Institutionen för teknikvetenskap och matematik, Matematiska vetenskaper.
    Jones, R.
    University of Exeter.
    Pajot, B.
    Universite Paris.
    Briddon, P.R.
    University of Newcastle.
    Vacancy- and acceptor-H complexes in InP1996Inngår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, E-ISSN 1361-6641, Vol. 11, s. 502-507Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
1 - 2 of 2
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf