The divacancy in silicon and diamond 1999 (engelsk)Inngår i: Physica. B, Condensed matter, ISSN 0921-4526, E-ISSN 1873-2135, Vol. 273-274, s. 520-523Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published

Abstract [en]

First-principles studies of the divacancy (V2) in both silicon and diamond are reported. We demonstrate that the contrasting experimental spin-density localisation of both systems can be explained through the one-electron pictures arising from opposing distortions

sted, utgiver, år, opplag, sider

1999. Vol. 273-274, s. 520-523

HSV kategori

Forskningsprogram

Teknisk-vetenskapliga beräkningar

Identifikatorer

URN: urn:nbn:se:ltu:diva-5781DOI: 10.1016/S0921-4526(99)00543-8ISI: 000084452200122Scopus ID: 2-s2.0-0033341190Lokal ID: 3f7053d0-34b3-11de-98cd-000ea68e967bOAI: oai:DiVA.org:ltu-5781DiVA, id: diva2:978656

Merknad

Godkänd; 1999; 20090429 (andbra)

Tilgjengelig fra: 2016-09-29 Laget: 2016-09-29 Sist oppdatert: 2025-10-21bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekstScopus

Person

Öberg, Sven

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør

Öberg, Sven

Av organisasjonen

I samme tidsskrift

Physica. B, Condensed matter

Om emnet

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle ScholarTotalt: 66 treff